casa / produtos / Capacitores / Capacitores eletrolíticos de alumínio / URY2G100MHD1TN
Número da peça de fabricante | URY2G100MHD1TN |
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Número da peça futura | FT-URY2G100MHD1TN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | URY |
URY2G100MHD1TN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Capacitância | 10µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 400V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C |
Polarização | Polar |
Classificações | - |
Aplicações | General Purpose |
Corrente de Ondulação @ Baixa Frequência | 65mA @ 120Hz |
Corrente de Ondulação @ Alta Freqüência | 104mA @ 10kHz |
Impedância | - |
Espaçamento de chumbo | 0.295" (7.50mm) |
Tamanho / dimensão | 0.630" Dia (16.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.551" (14.00mm) |
Superfície de montagem em superfície | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial, Can |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
URY2G100MHD1TN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | URY2G100MHD1TN-FT |
USA1HR33MDD1TP
Nichicon
USA1HR47MDD
Nichicon
USA1HR47MDD1TE
Nichicon
USA1HR47MDD1TP
Nichicon
USV1H0R1MFD
Nichicon
USV1H0R1MFD1TE
Nichicon
USV1H0R1MFD1TP
Nichicon
USV1HR22MFD1TE
Nichicon
USV1HR22MFD1TP
Nichicon
USV1HR33MFD
Nichicon
A40MX04-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-FG484
Microsemi Corporation
M2GL025TS-1VFG256
Microsemi Corporation
EP3C55F484I7N
Intel
10M16DCF484A7G
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC2VP7-5FFG896C
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation