casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / UNR921DG0L
Número da peça de fabricante | UNR921DG0L |
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Número da peça futura | FT-UNR921DG0L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
UNR921DG0L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 150MHz |
Potência - Max | 125mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SSMini3-F3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR921DG0L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UNR921DG0L-FT |
UNR511FG0L
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UNR511H00L
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A3P015-2QNG68
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XA2S100E-6TQ144Q
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EP2C35U484I8N
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XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
XA7A15T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFXP3E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel