casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / UNR911EG0L
Número da peça de fabricante | UNR911EG0L |
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Número da peça futura | FT-UNR911EG0L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
UNR911EG0L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 80MHz |
Potência - Max | 125mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SSMini3-F3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR911EG0L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UNR911EG0L-FT |
UNR9110G0L
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XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
XA7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
5AGXBA7D4F35I5N
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