casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / UNR42100RA
Número da peça de fabricante | UNR42100RA |
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Número da peça futura | FT-UNR42100RA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
UNR42100RA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 150MHz |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 3-SSIP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | NS-B1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR42100RA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UNR42100RA-FT |
UNR521500L
Panasonic Electronic Components
UNR521600L
Panasonic Electronic Components
UNR521700L
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A42MX36-3BG272
Microsemi Corporation
AFS1500-1FG484I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2
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XC7V585T-1FFG1761I
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XC7K325T-2FB676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M20E-6FN484I
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LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel