casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / UNR412200A
Número da peça de fabricante | UNR412200A |
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Número da peça futura | FT-UNR412200A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
UNR412200A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 100mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Freqüência - Transição | 200MHz |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 3-SSIP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | NS-A1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR412200A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UNR412200A-FT |
UNR521V00L
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UNR521W00L
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UNR521WG0L
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UNR52A0G0L
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