casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / UNR222600L
Número da peça de fabricante | UNR222600L |
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Número da peça futura | FT-UNR222600L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
UNR222600L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 600mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 20V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 80mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 200MHz |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Mini3-G1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR222600L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UNR222600L-FT |
MMUN2232LT1
ON Semiconductor
MMUN2233LT1
ON Semiconductor
MUN2111T1
ON Semiconductor
PBRN113EK,115
NXP USA Inc.
PBRN113ZK,115
NXP USA Inc.
PBRN123EK,115
NXP USA Inc.
PBRN123YK,115
NXP USA Inc.
PDTA113EK,115
NXP USA Inc.
PDTA113ZK,115
NXP USA Inc.
PDTA114EK,115
NXP USA Inc.