casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / UNR222100L
Número da peça de fabricante | UNR222100L |
---|---|
Número da peça futura | FT-UNR222100L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
UNR222100L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 2.2 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 100mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Freqüência - Transição | 200MHz |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Mini3-G1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR222100L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UNR222100L-FT |
MMUN2114LT1
ON Semiconductor
MMUN2213LT1
ON Semiconductor
MMUN2216LT1
ON Semiconductor
MMUN2232LT1
ON Semiconductor
MMUN2233LT1
ON Semiconductor
MUN2111T1
ON Semiconductor
PBRN113EK,115
NXP USA Inc.
PBRN113ZK,115
NXP USA Inc.
PBRN123EK,115
NXP USA Inc.
PBRN123YK,115
NXP USA Inc.
XC3S50AN-4TQG144C
Xilinx Inc.
EX128-FTQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP2AGZ350FH29C4N
Intel
EP3SL340F1760I4L
Intel
5SGSMD5H2F35I3N
Intel
XC4VLX160-10FFG1148I
Xilinx Inc.
EPF10K30AQI208-3
Intel
EPF8820AQC208-3
Intel