casa / produtos / Capacitores / Capacitores eletrolíticos de alumínio / UMW1HR33MDD1TE
Número da peça de fabricante | UMW1HR33MDD1TE |
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Número da peça futura | FT-UMW1HR33MDD1TE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | UMW |
UMW1HR33MDD1TE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Capacitância | 0.33µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 50V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 1000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Polarização | Polar |
Classificações | - |
Aplicações | Audio |
Corrente de Ondulação @ Baixa Frequência | 2.8mA @ 120Hz |
Corrente de Ondulação @ Alta Freqüência | 4.2mA @ 10kHz |
Impedância | - |
Espaçamento de chumbo | 0.059" (1.50mm) |
Tamanho / dimensão | 0.157" Dia (4.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.236" (6.00mm) |
Superfície de montagem em superfície | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial, Can |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UMW1HR33MDD1TE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UMW1HR33MDD1TE-FT |
UMW1H330MDD1TE
Nichicon
UMW1H330MDD1TP
Nichicon
UMW1V330MDD
Nichicon
UMW1V330MDD1TE
Nichicon
UMW1V470MDD
Nichicon
UMW1V470MDD1TE
Nichicon
UMW0G221MDD
Nichicon
UMW0G221MDD1TP
Nichicon
UMW1A470MDD1TP
Nichicon
UMW1E330MDD1TP
Nichicon
LCMXO640E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FG484M
Microsemi Corporation
A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C7
Intel
XC4VFX40-11FF1152I
Xilinx Inc.
AGL125V2-CS196
Microsemi Corporation
A42MX09-TQG176M
Microsemi Corporation