casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / ULN2004ANSR
Número da peça de fabricante | ULN2004ANSR |
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Número da peça futura | FT-ULN2004ANSR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ULN2004ANSR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 7 NPN Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 50µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potência - Max | - |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -20°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 16-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ULN2004ANSR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ULN2004ANSR-FT |
MMDT4413-7-F
Diodes Incorporated
BC847PNQ-7R-F
Diodes Incorporated
BC856AS-7
Diodes Incorporated
BC857BS-7-F
Diodes Incorporated
DMMT3904W-7-F
Diodes Incorporated
BC846ASQ-7-F
Diodes Incorporated
BC847PNQ-7-F
Diodes Incorporated
BCM857BS-7-F
Diodes Incorporated
DMMT3904WQ-7-F
Diodes Incorporated
MMDT2907A-7-F
Diodes Incorporated
XC3S250E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
XC7A100T-L2CSG324E
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19A7N
Intel
EP2AGX95EF35C4N
Intel