casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / ULN2003V12S16-13
Número da peça de fabricante | ULN2003V12S16-13 |
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Número da peça futura | FT-ULN2003V12S16-13 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ULN2003V12S16-13 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 7 NPN Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 50µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potência - Max | - |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 16-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ULN2003V12S16-13 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ULN2003V12S16-13-FT |
ZDT705TC
Diodes Incorporated
ZDT717TA
Diodes Incorporated
ZDT717TC
Diodes Incorporated
ZDT749TA
Diodes Incorporated
ZDT749TC
Diodes Incorporated
ZDT751TC
Diodes Incorporated
ZDT758TA
Diodes Incorporated
ZDT758TC
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Diodes Incorporated
XC3S250E-5TQG144C
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Xilinx Inc.
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
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LCMXO640E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19A7N
Intel
EP2AGX95EF35C4N
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