casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / ULN2003AIDR
Número da peça de fabricante | ULN2003AIDR |
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Número da peça futura | FT-ULN2003AIDR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ULN2003AIDR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 7 NPN Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 50µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potência - Max | - |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 16-SOIC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ULN2003AIDR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ULN2003AIDR-FT |
ULN2803APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2805A
STMicroelectronics
MMPQ2907A
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MMPQ3904
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MMPQ3904 TR13
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MMPQ2907A BK
Central Semiconductor Corp
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ULN2004D1013TR
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MMPQ2222A
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ON Semiconductor
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
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5SGXEA5N2F45C3N
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EP4S100G4F45I3
Intel
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6N
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EPF10K200SBI356-2
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