casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / UGB8JT-E3/81
Número da peça de fabricante | UGB8JT-E3/81 |
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Número da peça futura | FT-UGB8JT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
UGB8JT-E3/81 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 8A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 30µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB8JT-E3/81 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UGB8JT-E3/81-FT |
MBRB7H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB7H60HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1520
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1520TRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1520TRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB820
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB820TRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB820TRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel