casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / UGB8JT-E3/45
Número da peça de fabricante | UGB8JT-E3/45 |
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Número da peça futura | FT-UGB8JT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
UGB8JT-E3/45 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 8A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 30µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB8JT-E3/45 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UGB8JT-E3/45-FT |
MBRB7H60-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB7H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB7H60HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1520
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1520TRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1520TRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB820
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB820TRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB820TRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSB8ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation