casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / UGB8JCTHE3/81
Número da peça de fabricante | UGB8JCTHE3/81 |
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Número da peça futura | FT-UGB8JCTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
UGB8JCTHE3/81 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 4A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 4A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 30µA @ 600V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB8JCTHE3/81 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UGB8JCTHE3/81-FT |
MURB1020CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1020CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1620CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1620CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1620CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB2020CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB2020CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB2020CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1030CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1030CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel