casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / UGB8JCTHE3/45
Número da peça de fabricante | UGB8JCTHE3/45 |
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Número da peça futura | FT-UGB8JCTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
UGB8JCTHE3/45 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 4A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 4A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 30µA @ 600V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB8JCTHE3/45 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UGB8JCTHE3/45-FT |
MURB1020CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1020CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1020CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1620CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1620CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1620CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB2020CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB2020CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB2020CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1030CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel