casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / UGB8HCTHE3/81
Número da peça de fabricante | UGB8HCTHE3/81 |
---|---|
Número da peça futura | FT-UGB8HCTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
UGB8HCTHE3/81 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 500V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 4A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 4A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 30µA @ 500V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB8HCTHE3/81 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UGB8HCTHE3/81-FT |
MBRB4045CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB4045CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1020CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1020CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1020CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1620CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1620CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB1620CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB2020CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURB2020CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-PQG208
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-SWG16TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP4CGX30CF23C7N
Intel
5SGSED8N3F45C3N
Intel
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP20K200BC356-3
Intel