casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / UGB10GCT-E3/81
Número da peça de fabricante | UGB10GCT-E3/81 |
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Número da peça futura | FT-UGB10GCT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
UGB10GCT-E3/81 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 400V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB10GCT-E3/81 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UGB10GCT-E3/81-FT |
MBRB3035CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H100CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4013XL-1HT144I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU040-L1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC2V1000-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-CQ208B
Microsemi Corporation
AGLN250V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP4CE15F23I8LN
Intel
5SGXEA5N2F40I3N
Intel
A40MX04-PLG84I
Microsemi Corporation
EP1S30B956C7
Intel