casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / UG6KB10TB
Número da peça de fabricante | UG6KB10TB |
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Número da peça futura | FT-UG6KB10TB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
UG6KB10TB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 6A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 100V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-ESIP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D3K |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG6KB10TB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UG6KB10TB-FT |
KBP404G
Diodes Incorporated
KBP406G
Diodes Incorporated
KBP408G
Diodes Incorporated
KBP410G
Diodes Incorporated
KBL401G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL403G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL601G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL602G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL603G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL604G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
APA150-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8
Intel
EP1K100FI256-2N
Intel
5SGXMA7N2F45C3
Intel
5SGXMA7K3F35C4
Intel
A3P125-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45E1SG
Intel
EP4SGX180FF35I4N
Intel