casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / UG10GCT-E3/45
Número da peça de fabricante | UG10GCT-E3/45 |
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Número da peça futura | FT-UG10GCT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
UG10GCT-E3/45 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 400V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG10GCT-E3/45 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UG10GCT-E3/45-FT |
MBR2050CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2060CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2060CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CTG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CTGHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H150CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H200CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel