casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / UFT10010
Número da peça de fabricante | UFT10010 |
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Número da peça futura | FT-UFT10010 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
UFT10010 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 50A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 50A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 60ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 25µA @ 100V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | TO-249AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-249AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UFT10010 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UFT10010-FT |
GSXF060A120S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD060A008S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD080A015S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A018S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD160A012S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF030A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF100A100S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD050A010S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD080A008S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A008S1-D3
Global Power Technologies Group
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel