casa / produtos / Capacitores / Capacitores eletrolíticos de alumínio / UFG1H010MDM1TD
Número da peça de fabricante | UFG1H010MDM1TD |
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Número da peça futura | FT-UFG1H010MDM1TD |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | UFG |
UFG1H010MDM1TD Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 1µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 50V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 1000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Polarização | Polar |
Classificações | - |
Aplicações | Audio |
Corrente de Ondulação @ Baixa Frequência | 9mA @ 120Hz |
Corrente de Ondulação @ Alta Freqüência | 18mA @ 10kHz |
Impedância | - |
Espaçamento de chumbo | 0.098" (2.50mm) |
Tamanho / dimensão | 0.197" Dia (5.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.492" (12.50mm) |
Superfície de montagem em superfície | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial, Can |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UFG1H010MDM1TD Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UFG1H010MDM1TD-FT |
UES1C100MDM1TD
Nichicon
UES1E100MDM1TA
Nichicon
UES1E4R7MDM1TA
Nichicon
UES1E4R7MDM1TD
Nichicon
UES1H010MDM1TA
Nichicon
UES1H010MDM1TD
Nichicon
UES1H2R2MDM1TA
Nichicon
UES1H3R3MDM1TA
Nichicon
UES1H3R3MDM1TD
Nichicon
UES1V4R7MDM1TA
Nichicon
AT6002A-4AI
Microchip Technology
XC4003E-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC3S1600E-4FG484C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010T-1VFG400I
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
EP20K1000EFI672-2X
Intel
EP20K200FC484-2XN
Intel
LFE2M50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation