casa / produtos / Capacitores / Capacitores eletrolíticos de alumínio / UES1H4R7MEM1TD
Número da peça de fabricante | UES1H4R7MEM1TD |
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Número da peça futura | FT-UES1H4R7MEM1TD |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | UES |
UES1H4R7MEM1TD Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Capacitância | 4.7µF |
Tolerância | ±20% |
Voltagem - Rated | 50V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 1000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Polarização | Bi-Polar |
Classificações | - |
Aplicações | Audio |
Corrente de Ondulação @ Baixa Frequência | - |
Corrente de Ondulação @ Alta Freqüência | - |
Impedância | - |
Espaçamento de chumbo | 0.098" (2.50mm) |
Tamanho / dimensão | 0.248" Dia (6.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.492" (12.50mm) |
Superfície de montagem em superfície | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial, Can |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UES1H4R7MEM1TD Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UES1H4R7MEM1TD-FT |
UFG1H0R1MDM
Nichicon
UFG1H4R7MDM
Nichicon
UFG1H010MDM
Nichicon
UFG2A0R1MDM
Nichicon
UFG2AR47MDM
Nichicon
UFG1HR33MDM
Nichicon
UFG1C330MDM1TD
Nichicon
UFG1H100MDM1TD
Nichicon
UFG1H2R2MDM1TD
Nichicon
UFG2A010MDM1TD
Nichicon
A40MX04-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-FG484
Microsemi Corporation
M2GL025TS-1VFG256
Microsemi Corporation
EP3C55F484I7N
Intel
10M16DCF484A7G
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC2VP7-5FFG896C
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation