casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / UES1306
Número da peça de fabricante | UES1306 |
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Número da peça futura | FT-UES1306 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
UES1306 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 20µA @ 400V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | B, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UES1306 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | UES1306-FT |
DZ540N26KHPSA1
Infineon Technologies
DZ600N12KHPSA1
Infineon Technologies
DZ600N14KHPSA1
Infineon Technologies
DZ600N16KHPSA1
Infineon Technologies
ES1JF R2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GATELEAD1110008XPSA1
Infineon Technologies
GP2D005A065A
Global Power Technologies Group
GP2D005A065C
Global Power Technologies Group
GP2D010A060B
Global Power Technologies Group
GP2D015A120A
Global Power Technologies Group
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
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EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel