casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / TYS3012330M-10
Número da peça de fabricante | TYS3012330M-10 |
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Número da peça futura | FT-TYS3012330M-10 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TYS3012 |
TYS3012330M-10 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 33µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 460mA |
Atual - saturação | 360mA |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 875 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 18MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0504 (1211 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TYS3012330M-10 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TYS3012330M-10-FT |
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A54SX16A-2TQG144
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XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
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