casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs / TXN1012RG
Número da peça de fabricante | TXN1012RG |
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Número da peça futura | FT-TXN1012RG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TXN1012RG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tensão - Estado Desligado | 1kV |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.5V |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 15mA |
Tensão - no estado (Vtm) (máximo) | 1.6V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | 8A |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 12A |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 30mA |
Estado atual - desligado (máx.) | 10µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 120A, 125A |
Tipo de SCR | Standard Recovery |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TXN1012RG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TXN1012RG-FT |
VS-ST1200C20K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1200C20K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1200C20K1P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C08K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C08K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C12K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C12K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C12K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C12K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C12K1P
Vishay Semiconductor Diodes Division
M7A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQC
Microchip Technology
5SGSMD4K2F40C3N
Intel
5SGXMABK1H40C2LN
Intel
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23C8N
Intel