casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / TWM3J820E
Número da peça de fabricante | TWM3J820E |
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Número da peça futura | FT-TWM3J820E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TWM |
TWM3J820E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 820 Ohms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 3W |
Composição | Metal Oxide Film |
Características | Flame Proof, Safety |
Coeficiente de temperatura | ±350ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 275°C |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Radial Lead |
Tamanho / dimensão | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.024" (26.00mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWM3J820E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TWM3J820E-FT |
TWW3JR39
Ohmite
TWW3JR43
Ohmite
TWW3JR47
Ohmite
TWW3JR56
Ohmite
TWW3JR68
Ohmite
TWW3JR75
Ohmite
TWW3JR82
Ohmite
TWM5J100E
Ohmite
TWM5J10KE
Ohmite
TWM5J150E
Ohmite
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel