casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs - Módulos / TTB6C165N16LOFHOSA1
Número da peça de fabricante | TTB6C165N16LOFHOSA1 |
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Número da peça futura | FT-TTB6C165N16LOFHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TTB6C165N16LOFHOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Estrutura | Bridge, 3-Phase - All SCRs |
Número de SCRs, diodos | 6 SCRs |
Tensão - Estado Desligado | 1.6kV |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | 208A |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 120A |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2.5V |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 150mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 1250A @ 50Hz |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 200mA |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TTB6C165N16LOFHOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TTB6C165N16LOFHOSA1-FT |
VS-VSKV105/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKV162/12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKV162/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKV26/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKV26/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKV26/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKV26/10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKV26/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKV26/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKV26/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP1C3T100I7N
Intel
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA9N3F45C4N
Intel
EP1AGX90EF1152C6N
Intel
EP3SL340H1152C4
Intel
XC5VLX30-1FFG676CES
Xilinx Inc.
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG100
Microsemi Corporation
10AX090N4F40I3SG
Intel
5AGXBB5D4F35C4N
Intel