casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / TSP10H200S S1G
Número da peça de fabricante | TSP10H200S S1G |
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Número da peça futura | FT-TSP10H200S S1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TSP10H200S S1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-277A (SMPC) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSP10H200S S1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TSP10H200S S1G-FT |
MBRF745HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF750 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF750HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF760 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF760HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF790 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF790HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MURF8L60 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MURF8L60HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation