casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TSM9ND50CI
Número da peça de fabricante | TSM9ND50CI |
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Número da peça futura | FT-TSM9ND50CI |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TSM9ND50CI Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 2.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 24.5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1116pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 50W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ITO-220 |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM9ND50CI Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TSM9ND50CI-FT |
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Texas Instruments
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XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
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M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
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10M40SAE144I7G
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5SGXEBBR1H43C2LN
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LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
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