casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TSM60NB190CI C0G
Número da peça de fabricante | TSM60NB190CI C0G |
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Número da peça futura | FT-TSM60NB190CI C0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TSM60NB190CI C0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1273pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 33.8W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ITO-220AB |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM60NB190CI C0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TSM60NB190CI C0G-FT |
SSM6J511NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J501NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J502NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J503NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J505NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J507NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K504NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K513NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
IRLD120PBF
Vishay Siliconix
IRFD110PBF
Vishay Siliconix
XC7A100T-2FTG256I
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APA450-FGG484A
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10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel