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Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099PW C1G

Name: TSM60NB099PW C1G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM60NB099PW C1G
Price: 5.616 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (361 reviews)

Número da peça MFG: TSM60NB099PW C1G

Quantidade disponível: 31630 Peças

Preço de referência: USD 5.616

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Descrição breve: - MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TSM60NB099PW C1G.pdf

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TSM60NB099PW C1G Especificações

Número da peça de fabricante	TSM60NB099PW C1G
Número da peça futura	FT-TSM60NB099PW C1G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
TSM60NB099PW C1G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	38A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99 mOhm @ 11.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2587pF @ 100V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	329W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-247
Pacote / caso	TO-247-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM60NB099PW C1G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TSM60NB099PW C1G-FT

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