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Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB041PW C1G

Número da peça MFG
TSM60NB041PW C1G
Quantidade disponível
98320 Peças
Preço de referência
USD 9.816
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição breve
- MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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TSM60NB041PW C1G Especificações

Número da peça de fabricante TSM60NB041PW C1G
Número da peça futura FT-TSM60NB041PW C1G
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
TSM60NB041PW C1G Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 78A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 21.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 139nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6120pF @ 100V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 446W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-247
Pacote / caso TO-247-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM60NB041PW C1G Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição TSM60NB041PW C1G-FT

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