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Taiwan Semiconductor Corporation TSM4800N15CX6 RFG

Name: TSM4800N15CX6 RFG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM4800N15CX6 RFG
Price: 0.155624 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (24 reviews)

Número da peça MFG: TSM4800N15CX6 RFG

Quantidade disponível: 74090 Peças

Preço de referência: USD 0.155624

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Descrição breve: - MOSFET N-CH 150V 1.4A SOT26

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TSM4800N15CX6 RFG.pdf

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TSM4800N15CX6 RFG Especificações

Número da peça de fabricante	TSM4800N15CX6 RFG
Número da peça futura	FT-TSM4800N15CX6 RFG
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
TSM4800N15CX6 RFG Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	1.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	480 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	332pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.1W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SOT-26
Pacote / caso	SOT-23-6
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM4800N15CX6 RFG Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TSM4800N15CX6 RFG-FT

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