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Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NB60CI C0G

Name: TSM10NB60CI C0G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM10NB60CI C0G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (381 reviews)

Número da peça MFG: TSM10NB60CI C0G

Quantidade disponível: 58060 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Descrição breve: - MOSFET N-CH 600V 10A ITO220

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TSM10NB60CI C0G.pdf

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TSM10NB60CI C0G Especificações

Número da peça de fabricante	TSM10NB60CI C0G
Número da peça futura	FT-TSM10NB60CI C0G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
TSM10NB60CI C0G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1820pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	50W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	ITO-220AB
Pacote / caso	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM10NB60CI C0G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TSM10NB60CI C0G-FT

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