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Taiwan Semiconductor Corporation TSM085N03PQ33 RGG

Name: TSM085N03PQ33 RGG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM085N03PQ33 RGG
Price: 0.14744 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (187 reviews)

Número da peça MFG: TSM085N03PQ33 RGG

Quantidade disponível: 12770 Peças

Preço de referência: USD 0.14744

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fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Descrição breve: - MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TSM085N03PQ33 RGG.pdf

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TSM085N03PQ33 RGG Especificações

Número da peça de fabricante	TSM085N03PQ33 RGG
Número da peça futura	FT-TSM085N03PQ33 RGG
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
TSM085N03PQ33 RGG Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	52A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	14.3nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	817pF @ 15V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	37W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-PDFN (3x3)
Pacote / caso	8-PowerWDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM085N03PQ33 RGG Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TSM085N03PQ33 RGG-FT

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