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Taiwan Semiconductor Corporation TSM061NA03CV RGG

Name: TSM061NA03CV RGG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM061NA03CV RGG
Price: 0.384272 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (116 reviews)

Número da peça MFG: TSM061NA03CV RGG

Quantidade disponível: 28590 Peças

Preço de referência: USD 0.384272

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Descrição breve: - MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TSM061NA03CV RGG.pdf

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TSM061NA03CV RGG Especificações

Número da peça de fabricante	TSM061NA03CV RGG
Número da peça futura	FT-TSM061NA03CV RGG
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
TSM061NA03CV RGG Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	66A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.1 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	19.3nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1136pF @ 15V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	44.6W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-PDFN (3x3)
Pacote / caso	8-PowerWDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM061NA03CV RGG Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TSM061NA03CV RGG-FT

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