casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / TSI10L200CW C0G
Número da peça de fabricante | TSI10L200CW C0G |
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Número da peça futura | FT-TSI10L200CW C0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TSI10L200CW C0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I2PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSI10L200CW C0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TSI10L200CW C0G-FT |
VSKC320-12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKC320-20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKCL240-06S10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKCL240-10S10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKCL240-14S20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKCL240-25S30
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD250-04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD250-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD250-12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD250-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel