casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / TRS8E65C,S1Q
Número da peça de fabricante | TRS8E65C,S1Q |
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Número da peça futura | FT-TRS8E65C,S1Q |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TRS8E65C,S1Q Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 90µA @ 650V |
Capacitância @ Vr, F | 44pF @ 650V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-2L |
Temperatura de funcionamento - junção | 175°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TRS8E65C,S1Q Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TRS8E65C,S1Q-FT |
S3MHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3MHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5BHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5BHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5DHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5DHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5GHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5GHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel