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TRS8E65C,S1Q Image

Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65C,S1Q

Número da peça MFG
TRS8E65C,S1Q
Quantidade disponível
43160 Peças
Preço de referência
USD 5.98608
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição breve
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Diodos - Retificadores - Solteiro
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
TRS8E65C,S1Q.pdf
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TRS8E65C,S1Q Especificações

Número da peça de fabricante TRS8E65C,S1Q
Número da peça futura FT-TRS8E65C,S1Q
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
TRS8E65C,S1Q Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo de Diodo Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Atual - Média Retificada (Io) 8A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 8A
Rapidez No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr 90µA @ 650V
Capacitância @ Vr, F 44pF @ 650V, 1MHz
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / caso TO-220-2
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-220-2L
Temperatura de funcionamento - junção 175°C (Max)
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TRS8E65C,S1Q Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição TRS8E65C,S1Q-FT

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