casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / TRS12E65C,S1Q
Número da peça de fabricante | TRS12E65C,S1Q |
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Número da peça futura | FT-TRS12E65C,S1Q |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TRS12E65C,S1Q Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Atual - Média Retificada (Io) | 12A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 12A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 90µA @ 170V |
Capacitância @ Vr, F | 65pF @ 650V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-2L |
Temperatura de funcionamento - junção | 175°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TRS12E65C,S1Q Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TRS12E65C,S1Q-FT |
S5AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5BHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5BHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5DHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5DHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5GHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5GHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5JHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5JHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel