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Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65C,S1Q
- Número da peça MFG
- TRS12E65C,S1Q
- Quantidade disponível
- 42580 Peças
- Preço de referência
- USD 9.8
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição breve
- - DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Diodos - Retificadores - Solteiro
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- TRS12E65C,S1Q.pdf
TRS12E65C,S1Q Especificações
| Número da peça de fabricante | TRS12E65C,S1Q |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-TRS12E65C,S1Q |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| TRS12E65C,S1Q Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Atual - Média Retificada (Io) | 12A (DC) |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 12A |
| Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 90µA @ 170V |
| Capacitância @ Vr, F | 65pF @ 650V, 1MHz |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / caso | TO-220-2 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-2L |
| Temperatura de funcionamento - junção | 175°C (Max) |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TRS12E65C,S1Q Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | TRS12E65C,S1Q-FT |
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