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Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL,L1Q

Name: TPN2R805PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN2R805PL,L1Q
Price: 0.32256 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (74 reviews)

Número da peça MFG: TPN2R805PL,L1Q

Quantidade disponível: 71770 Peças

Preço de referência: USD 0.32256

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSIX-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TPN2R805PL,L1Q.pdf

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TPN2R805PL,L1Q Especificações

Número da peça de fabricante	TPN2R805PL,L1Q
Número da peça futura	FT-TPN2R805PL,L1Q
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSIX-H
TPN2R805PL,L1Q Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	45V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	139A (Ta), 80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3.2nF @ 22.5V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.67W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação	175°C
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacote / caso	8-PowerVDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPN2R805PL,L1Q Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TPN2R805PL,L1Q-FT

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