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Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL,L1Q

Número da peça MFG
TPN2R805PL,L1Q
Quantidade disponível
71770 Peças
Preço de referência
USD 0.32256
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Data de envio
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição breve
U-MOSIX-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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TPN2R805PL,L1Q Especificações

Número da peça de fabricante TPN2R805PL,L1Q
Número da peça futura FT-TPN2R805PL,L1Q
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series U-MOSIX-H
TPN2R805PL,L1Q Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 45V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 139A (Ta), 80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3.2nF @ 22.5V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação 175°C
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacote / caso 8-PowerVDFN
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPN2R805PL,L1Q Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição TPN2R805PL,L1Q-FT

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