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Toshiba Semiconductor and Storage TPN22006NH,LQ
- Número da peça MFG
- TPN22006NH,LQ
- Quantidade disponível
- 72800 Peças
- Preço de referência
- USD 0.2552
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição breve
- U-MOSVIII-H MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- TPN22006NH,LQ.pdf
TPN22006NH,LQ Especificações
| Número da peça de fabricante | TPN22006NH,LQ |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-TPN22006NH,LQ |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | U-MOSVIII-H |
| TPN22006NH,LQ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 30V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Pacote / caso | 8-PowerVDFN |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPN22006NH,LQ Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | TPN22006NH,LQ-FT |
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