casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TPN2010FNH,L1Q
Número da peça de fabricante | TPN2010FNH,L1Q |
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Número da peça futura | FT-TPN2010FNH,L1Q |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | U-MOSVIII-H |
TPN2010FNH,L1Q Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 250V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5.6A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 198 mOhm @ 2.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Pacote / caso | 8-PowerVDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPN2010FNH,L1Q Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TPN2010FNH,L1Q-FT |
2SK4016(Q)
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