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Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R30ANL,L1Q

Name: TPH6R30ANL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH6R30ANL,L1Q
Price: 0.33936 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (385 reviews)

Número da peça MFG: TPH6R30ANL,L1Q

Quantidade disponível: 97250 Peças

Preço de referência: USD 0.33936

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSVIII-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TPH6R30ANL,L1Q.pdf

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TPH6R30ANL,L1Q Especificações

Número da peça de fabricante	TPH6R30ANL,L1Q
Número da peça futura	FT-TPH6R30ANL,L1Q
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSVIII-H
TPH6R30ANL,L1Q Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	66A (Ta), 45A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3 mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4300pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 54W (Tc)
Temperatura de operação	150°C
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SOP Advance (5x5)
Pacote / caso	8-PowerVDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPH6R30ANL,L1Q Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TPH6R30ANL,L1Q-FT

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