casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / TPD3215M
Número da peça de fabricante | TPD3215M |
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Número da peça futura | FT-TPD3215M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TPD3215M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Recurso FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 30A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 100V |
Potência - Max | 470W |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD3215M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TPD3215M-FT |
ALD114935PAL
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