casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / TPD1E10B09QDPYRQ1
Número da peça de fabricante | TPD1E10B09QDPYRQ1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-TPD1E10B09QDPYRQ1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
TPD1E10B09QDPYRQ1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Zener |
Canais unidirecionais | - |
Canais Bidirecionais | 1 |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 5.5V (Max) |
Tensão - Breakdown (Min) | 6V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | 14V (Typ) |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | 6A (8/20µs) |
Potência - Pulso de Pico | 90W |
Proteção de linha de energia | No |
Aplicações | Automotive |
Capacitância @ Frequência | 12pF @ 1MHz |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0402 (1006 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 2-X1SON (1x.60) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E10B09QDPYRQ1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TPD1E10B09QDPYRQ1-FT |
DF2S12FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7AE,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D6.8MS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D36FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LSU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.2FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
XC4VFX40-10FFG672C
Xilinx Inc.
AX500-2FG676I
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30AQI208-3N
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel