casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / TPD1E10B09DPYR
Número da peça de fabricante | TPD1E10B09DPYR |
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Número da peça futura | FT-TPD1E10B09DPYR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TPD1E10B09DPYR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Zener |
Canais unidirecionais | - |
Canais Bidirecionais | 1 |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 9V (Max) |
Tensão - Breakdown (Min) | 9.5V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | 20V |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | 4.5A (8/20µs) |
Potência - Pulso de Pico | 90W |
Proteção de linha de energia | No |
Aplicações | General Purpose |
Capacitância @ Frequência | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0402 (1006 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 2-X1SON (1x.60) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E10B09DPYR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TPD1E10B09DPYR-FT |
DF2B5M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S8.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S24UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S20CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S12FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX150-2FGG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG484I
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LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I2LG
Intel
EP4CE6E22C8L
Intel
5SGXEB5R3F43I3L
Intel
5SGXMA7H3F35I4N
Intel
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
A54SX08A-2TQG100I
Microsemi Corporation
AGL1000V2-CS281
Microsemi Corporation