casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - diodos / TPD1E10B09DPYR
Número da peça de fabricante | TPD1E10B09DPYR |
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Número da peça futura | FT-TPD1E10B09DPYR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TPD1E10B09DPYR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Zener |
Canais unidirecionais | - |
Canais Bidirecionais | 1 |
Tensão - Standoff Reverso (Typ) | 9V (Max) |
Tensão - Breakdown (Min) | 9.5V |
Tensão - Fixação (Max) @ Ipp | 20V |
Corrente - Pulso de Pico (10 / 1000µs) | 4.5A (8/20µs) |
Potência - Pulso de Pico | 90W |
Proteção de linha de energia | No |
Aplicações | General Purpose |
Capacitância @ Frequência | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0402 (1006 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 2-X1SON (1x.60) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPD1E10B09DPYR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TPD1E10B09DPYR-FT |
DF2B5M4CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S8.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S24UCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S20CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S12FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3042-125PQ100C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FG256
Microsemi Corporation
M2GL010-VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
XC7K420T-1FFG901I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FFGG144
Microsemi Corporation
LFXP6C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K300EBI652-2X
Intel