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Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8J01(TE85L,F,M

Name: TPCP8J01(TE85L,F,M
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPCP8J01(TE85L,F,M
Price: 0.232 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (63 reviews)

Número da peça MFG: TPCP8J01(TE85L,F,M

Quantidade disponível: 23610 Peças

Preço de referência: USD 0.232

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: - X35 PB-FREE POWER MOSFET TRANSIS

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TPCP8J01(TE85L,F,M.pdf

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TPCP8J01(TE85L,F,M Especificações

Número da peça de fabricante	TPCP8J01(TE85L,F,M
Número da peça futura	FT-TPCP8J01(TE85L,F,M
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
TPCP8J01(TE85L,F,M Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	32V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	5.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1760pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.14W (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PS-8
Pacote / caso	8-SMD, Flat Lead
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCP8J01(TE85L,F,M Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TPCP8J01(TE85L,F,M-FT

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