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Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8103-H(TE85LFM

Name: TPCP8103-H(TE85LFM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPCP8103-H(TE85LFM
Availability: InStock
Rating: 4.7 (596 reviews)

Número da peça MFG: TPCP8103-H(TE85LFM

Quantidade disponível: 30150 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSIII-H MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TPCP8103-H(TE85LFM.pdf

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TPCP8103-H(TE85LFM Especificações

Número da peça de fabricante	TPCP8103-H(TE85LFM
Número da peça futura	FT-TPCP8103-H(TE85LFM
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSIII-H
TPCP8103-H(TE85LFM Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	4.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	840mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PS-8 (2.9x2.4)
Pacote / caso	8-SMD, Flat Lead
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCP8103-H(TE85LFM Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TPCP8103-H(TE85LFM-FT

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