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Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8003-H(TE85L,F

Name: TPCP8003-H(TE85L,F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPCP8003-H(TE85L,F
Availability: InStock
Rating: 4.9 (44 reviews)

Número da peça MFG: TPCP8003-H(TE85L,F

Quantidade disponível: 86900 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSIII-H MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TPCP8003-H(TE85L,F.pdf

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TPCP8003-H(TE85L,F Especificações

Número da peça de fabricante	TPCP8003-H(TE85L,F
Número da peça futura	FT-TPCP8003-H(TE85L,F
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSIII-H
TPCP8003-H(TE85L,F Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	360pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	840mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PS-8 (2.9x2.4)
Pacote / caso	8-SMD, Flat Lead
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCP8003-H(TE85L,F Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TPCP8003-H(TE85L,F-FT

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