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Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8A01-H(TE12LQM

Name: TPCC8A01-H(TE12LQM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPCC8A01-H(TE12LQM
Availability: InStock
Rating: 4.6 (330 reviews)

Número da peça MFG: TPCC8A01-H(TE12LQM

Quantidade disponível: 10430 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSV-H MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TPCC8A01-H(TE12LQM.pdf

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TPCC8A01-H(TE12LQM Especificações

Número da peça de fabricante	TPCC8A01-H(TE12LQM
Número da peça futura	FT-TPCC8A01-H(TE12LQM
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSV-H
TPCC8A01-H(TE12LQM Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	21A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.9 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	700mW (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacote / caso	8-PowerVDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCC8A01-H(TE12LQM Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TPCC8A01-H(TE12LQM-FT

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